BEHLKE高压开关HTS 180‑48‑B高压mosfet功率列阵

更新时间：2026-04-30

浏览次数：15

HTS 180‑48‑B 是**全固态高压MOSFET脉冲开关**，整体为**金属+绝缘灌封的模块化密闭结构**，外形紧凑（约手掌大小），内部由五大功能区组成：

1. 高压MOSFET功率阵列（核心功率层）

2. 同步隔离驱动电路板（控制层）

3. 动态均压与缓冲网络（均压/吸收层）

4. 过流/过压/过温保护电路（保护层）

5. 高压绝缘腔体与灌封体（绝缘/机械层）

所有元器件按**低电感、高耐压、强散热**原则三维排布，内部**真空灌封高压绝缘树脂**，无空气隙、无内部电弧风险。

高压MOSFET功率阵列（核心）

1. 芯片选型

- 型号：Trench‑MOSFET（沟槽型）**，对应型号后缀 B

- 特点：低导通电阻（mΩ级）、低损耗、高di/dt能力

- 单管耐压：约 **600V～800V**，远低于整机18kV，靠**串联分压**实现高压。

2. 串并联拓扑（实现18kV/480A）

- 串联：约24～30颗MOSFET串联

- 每颗均分约 **600～750V，工作在安全区

- 串联后总耐压 **≥18kV

- 并联：每串联支路多管并联

- 提升峰值电流至 **480A

- 降低导通阻抗、减小发热

- 整体构成**多串多并的低电感功率叠层。

3. 布局与母线设计

- **层叠式紧凑排列**：MOSFET贴紧高压陶瓷基板，间距严格控制爬电距离。

- **低电感铜排/铝排**：极短、宽面连接，**抑制杂散电感**，保证**纳秒级上升沿**。

- **高压端与低压端物理隔离**：高压侧（18kV）与驱动/低压侧分腔，爬电距离≥**80mm**（按18kV绝缘标准）汉达森yyds吴亚男。